GB200年底出貨在即，輝達（NVIDIA）持續追加台積電CoWoS訂單，激勵近期CoWoS概念股表現強勢。到底什麼是CoWoS？台積電的CoWoS-R、CoWoS-L又什麼差別呢？
輝達（NVIDIA）AI伺服器GB200專用晶片Blackwell GPU，採用台積電CoWoS先進封裝技術，為此，輝達不僅持續追加台積電CoWoS訂單，預計11月開始量產出貨。外資法人指出，輝達GB200伺服器第一階段出貨將落在今年底，相關供應鏈包括晶片代工廠台積電，運算主板的鴻海、緯創等，激勵近期CoWoS概念股表現強勢。
日前輝達執行長黃仁勳接受美國媒體CNBC專訪時透露：「市場對Blackwell需求很瘋狂（insane）。」由於生成式AI帶動高速運算需求，造成台積電產能CoWoS供不應求，本土法人預期，2024年底台積電CoWoS的總產能相較2023年將提升超過150%，而隨著台積電加大、加速CoWoS產能擴充力道，輝達GB200伺服器出貨可望在2025年逐步放量，且CoWoS對於台積電營收、獲利的助益日益增加。
● CoWoS是什麼？
CoWoS就是使用2.5D/3D的晶片堆疊技術，將不同功能的晶片整合封裝至基板上。但若要用簡單白話來解釋，CoWos技術和傳統晶片製作方式有何不同，或可類比為搭橋。因為以前晶片只需要實現單一功能，但是現在AI，需要更多功能的晶片連結在一起才有辦法成功運作。這些晶片就像孤島，需要連結起來，CoWos就是連結起這諸多晶片的橋梁。
也因此，CoWos搭橋起來後，優勢不只是在於節省空間、還能降低功耗、提高晶片效能，同時達到加速運算但成本仍可控的目標。目前已廣泛應用於高效能運算、AI晶片等領域上。
其實CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）與SoIC一樣，都屬於先進封裝技術的一種。而所謂的先進封裝技術，就是隨晶片線路愈做愈細小，單一晶片電晶體密度逐漸逼近極限，為了延續摩爾定律，所發展出的多種封裝方法。
依據研調機構Yole預估，全球先進封裝市場規模將由2022年時的443億美元，2028年將成長至786億美元、年複合成長率為10.6%。
進一步解釋，我們則可將CoWoS這字拆開，分成CoW（Chip-on-Wafer）以及WoS（Wafer-on-Substrate）兩大部分。請見下圖：
◼ CoW（Chip-on-Wafer）：將晶片堆疊在導線載板上。
- ◼ WoS（Wafer-on-Substrate）：晶片堆疊在基板上，或將晶片堆疊後封裝於基板上。而根據排列形式，CoWoS可分為2.5D與3D不同型態。
當然，CoWoS的技術門檻也相當高，除了晶片之間的堆疊和連接考驗晶圓廠對精細度的掌握，另，多個晶片堆疊後對於散熱技術的要求也急遽增加。
● 關於台積電CoWoS平台
針於先進封裝技術，台積電構建了晶圓級系統整合技術（WLSI）平台，先後推出整合型扇出（InFO）、基板上晶圓上晶片封裝以及系統整合單晶片（SoIC）等。也就是說，台積電具有將上述三種技術整合於同一晶片上的能力。
台積電的CoWoS平台，為高效能運算應用提供同類最佳的效能和最高的整合密度。此晶圓級系統整合平台提供多種中介層尺寸、HBM立方體數量和封裝尺寸。它可以實現大於2倍標線尺寸（或約1700mm 2）的中介層，領先將SoC晶片與四個以上的HBM2/HBM2E立方體整合在一起。
◎ CoWoS-R是什麼？
CoWoS-R是台積電CoWoS先進封裝系列的成員之一。CoWoS-R利用InFO技術，透過RDL中介層並服務於小晶片之間的互連，特別是在HBM（高頻寬記憶體）和SoC異質整合中。其中，RDL中介層由聚合物和銅跡線組成，具有相對機械柔性；這種柔性靈活性增強了 C4 接頭的完整性，並允許新封裝擴大其尺寸以滿足更複雜的功能需求。請見下圖：
◎ CoWoS-R的優點
CoWoS-R技術的主要特點包括（請見下圖）：
1. RDL中介層：最多可由6L銅層組成，且最小佈線可達4um間距（2um線寬／間距）。
2. RDL互連：可提供良好的訊號和電源完整性效能，並具有較低的路由線 RC 值，以實現高傳輸資料速率。共面 GSGSG 和具有六個 RDL 互連的層間接地屏蔽可提供卓越的電氣性能。
3. RDL層和C4/UF層提供了良好的緩衝效果，讓C4的應變能密度大大降低。
◎ CoWoS-L是什麼？
CoWoS-L是CoWoS平台中的晶片封裝方式之一。它結合了CoWoS-S和InFO技術的優點，使用中介層與LSI（本地矽互連）晶片提供最靈活的集成，用於晶片到晶片的整合。該產品從具有 1x SoC + 4x HBM 立方體的 1.5X 標線中介層尺寸開始，並將繼續擴大尺寸以整合更多晶片。請見下圖所示：
◎ CoWoS-L的優點
CoWoS-L的主要特點包括：
1. LSI晶片，透過多層亞微米銅線實現高佈線密度晶片間互連。LSI晶片在每個產品中可以具有多種連接架構（例如SoC到SoC、SoC到chiplet、SoC到HBM…等），並且還可以在多個產品中重複使用。
2. 基於模塑的中介層，在正面和背面均具有寬間距的RDL層，以及用於訊號和電力傳輸的 TIV（穿插器通孔），可在高速傳輸中提供低損耗的高頻訊號。
3. 能夠在SoC晶片正下方整合其他元件，例如獨立的IPD（整合式被動元件），以支援其具有更好的 PI/SI 的訊號通訊。
● CoWoS的發展沿革
你可能不知道「先進封裝」、「CoWoS」等字詞，都是出自於鴻海集團半導體策略長蔣尚義當年還在台積電任職之時。蔣尚義曾透露，約2009年前後，發現摩爾定律逐漸失效，封裝技術反倒變成瓶頸時，為了解決這個問題，後來逐漸展開枝展葉，發展出今日的CoWoS、InFO等技術。
| 時間 | 事件 |
| 2011年 | 《ECTE 2011》發表：適用於28奈米技術FPGA的TSV內插器和互連的高級可靠性研究 |
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| 2024年 |
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| 資料來源：台積電官網 | |
● CoWoS與SoIC有何不同？
CoWoS、SoIC同屬先進封裝的成員，也同樣是台積電晶圓級系統整合技術（WLSI）平台上。與CoWoS著重於中介層的堆疊方式不同，SoIC則是去除了矽仲介版（Interposer），通過矽穿孔（TSV）或是金屬層直接將不同功能的晶片連接在一起。兩者都是為了提高晶片效率、減少能耗、維持摩爾定律等目的。
台積電已歸納先進封裝隸屬3D Fabric系統整合平台當中，包含三大部分：3D矽堆疊技術的SoIC系列，以及後段的先進封裝CoWoS家族、InFo家族。
● CoWoS概念股有哪些？
去年生成式AI橫空出世，隨各大廠紛紛擴增AI算力、AI伺服器的同時，對於晶片效能、體積、散熱、成本及封裝等要求更嚴苛，這也讓CoWoS先進封裝大放異彩，成為市場追捧的主流技術，其中台積電更是備受全球關注。那麼CoWoS概念股又有那些呢？以下挑選台廠中具有CoWoS技術，以及相關測試、載板、產線製程的CoWoS概念股名單。
| 類別 | 廠商 |
| CoWoS封裝與測試 | 台積電（2330）、日月光（3711）、京元電（2449） |
| HDI載板與基板 | 欣興（3037）、楠梓電（2316） |
| 測試版卡與製程設備 | 精測（6510）、均豪（5443）、萬潤（6187）、辛耘（3583）、弘塑（3131）、均華（6640）、志聖（2467）、穎威（6515）、旺矽（6223） |
| 資料整理：魏鑫陽 | |
● 台積電CoWoS的發展現況？
今年6月台積電嘉義先進封測AP七廠的一期P1廠（原定為CoWoS產線），因發現遺跡而短暫停工，目前行政單位確定今年10月會清理完畢、並移交給台積電，法人評估，將不影響原本預估的裝機時程。
另，法人圈也傳出，因台積電購入群創南科廠將作為先進封測AP八廠，因不需環評且土建廠房均已完成，因此建線進度可望超前1年以上，AP八廠產能可望提前至2025年第4季完成，而CoWoS 2025年月產能也將從原本的6~7萬片，再度上修至近8萬片。
研調公司IDC也表示，輝達需要台積電已規劃的CoWoS一半產能，方能應付AI晶片訂單，但台積電CoWoS產能目前僅完成三分之一。此外，超微（AMD）、博通等AI大廠也正排隊等候台積電CoWoS產能中。
