工研院在成立40週年前夕，發表工研院傑出研究獎與推廣服務獎共三項金牌技術，分別是「3DIC三維晶片整合技術及推動」、「垂直式自旋磁性記憶體技術」及「超低電壓∕超低功耗系統晶片設計技術」，成功開發出更省能、更快速、體積小、效能高的技術產品，對於未來智慧生活應用具有跳躍性的助益。
工研院電光所所長劉軍廷表示，今年榮獲推廣服務獎金牌獎「3DIC三維晶片整合技術及推動」，自五年前開始投入初期，不僅歷經2008年金融海嘯危機，更逆勢擴大研發，奠定現今發展基礎。也因透過電光與資通跨領域合作，整合IC設計與製程階段，以蓋高樓的概念將IC晶片作樓層式堆疊設計，在電子產品朝向輕薄短小、高效能發展的趨勢下，創新研發出具備體積小、整合度高、耗電量低、成本低特性的立體堆疊晶片（3D IC）。
記憶體產業目前雖面臨艱困挑戰，但記憶體是3C產品的關鍵技術之一，對台灣的ICT產業未來發展更重要。工研院IEK預估，記憶體產業在歷經整併重組後，2015年供需進入較為穩定階段，業界將會開始大量投資新世代記憶體。
劉軍廷表示，獲傑出研究金牌獎的「垂直式自旋磁性記憶體技術」成功解決技術瓶頸，具有非揮發性、讀寫速度快、無限次讀寫、低耗能等優點，是工研院為台灣ICT產業在記憶體技術保留的火種之一，將協助業界在2015年新世代記憶體新一輪競賽時有創新競爭利基。
這個記憶體研發團隊已成立10年，在投入MRAM記憶體研發過程中，歷經被質疑、整併等波折，該團隊以屢挫不敗的精神持續投入MRAM記憶體，不僅10年創造4次獲獎記錄，更以MRAM相關技術開發出磁性感測器，結合加速度計可以已達到陀螺儀相似功能，可應用在電子羅盤，手機導航、定位。
今年榮獲傑出研究金獎的「超低電壓∕超低功耗系統晶片設計技術」，其超低電壓技術（Ultra-Low Voltage，簡稱ULV），成功將電子裝置中晶片的功耗降到最低能耗，以有效延長產品用電時間，此技術並適用在多種製程及操作情境。搭配熱電能源擷取技術，可追蹤最佳用電效率功率，以突破熱電轉換限制，達到常溫下即可發電。若將超低電壓相關技術導入智慧型手持裝置或安全監控設備，能大幅改善功耗管理問題，完成自給自足小型系統運作；未來若與國內廠商進行進一步產品垂直鏈整合，預計可為IC產業創造無限商機！
（圖片提供∕工研院）
