編按：生成式AI從資料中心延伸至邊緣運算，帶動全球記憶體需求與技術規格升級，HBM成為國際大廠競逐焦點，NOR Flash則受惠供需結構調整與高階應用需求升溫。三星、SK海力士、美光積極布局之際，華邦電、旺宏能否掌握市場轉機，成為台灣記憶體產業關注焦點。
全球記憶體產業的景氣走勢，在HBM與NOR Flash等高附加價值領域，展現出高度明確且活絡的態勢，主要是隨著生成式AI應用，從大型資料中心全面延展至邊緣運算，市場對記憶體的效能與容量，提出更嚴苛的標準。以HBM為核心的高階運算解決方案，成為各大廠布局的兵家必爭之地，而NOR Flash則因地緣政治下的關稅壁壘，以及AI規格升級帶來的需求激增，迎來結構性的轉機與市場重洗。
HBM熱戰，記憶體大廠調整產能
在DRAM領域，三星（Samsung）與SK海力士（SK Hynix）等全球指標大廠，持續將資源高度集中於高頻寬記憶體（HBM），以支應AI伺服器與高階GPU，對突破頻寬與容量瓶頸的迫切需求。雖然三星與美光（Micron）積極擴產，並試圖挑戰SK海力士的市場地位，但SSK海力士憑藉與台積電及輝達（NVIDIA）的緊密合作，以及在先進封裝良率與生產效率上的顯著優勢，短期內穩居HBM市場的龍頭寶座，其領導地位難以被輕易撼動。相較之下，通用DRAM市場則面臨較大的雜音，由於PC與智慧型手機製造商仍握有一定規模的庫存水位，加上中國長鑫存儲等產能持續開出，導致通用型產品的能見度有限，促使如三星等大廠在一般DRAM的增產策略上，採取高度審慎的態度，避免供給過剩，拖累整體獲利。
在NAND Flash市場，面對全球供應商在前一階段經歷的劇烈市場波動，各大廠在產能擴張上轉趨理性與靈活。隨著IT市場需求復甦步調不一，主要製造商頻繁透過產線轉換來維持市場平衡。例如，三星持續將部分NAND產線轉向高毛利的DRAM與HBM，SK海力士也靈活調配各廠區的產能配置，將部分NAND產能移轉至高需求的先進產品線。這種動態的產能調節機制，有效防止NAND Flash市場陷入嚴重的供過於求，為價格穩定奠定基礎。
華邦電、旺宏搶攻NOR Flash商機
在NOR Flash市場方面，全球供需結構迎來顯著的優化，也就是美國對中國半導體產品未來恐將採取高關稅政策，影響以中國龍頭兆易創新為首的供應體系，其釋出的龐大全球市占缺口，主要由台灣的華邦電與旺宏等大廠順勢分食。華邦電穩居全球NOR Flash龍頭地位，受惠於中國晶圓廠大舉擴張邏輯成熟製程產生的排擠效應，當地NOR產能供應相對縮減，進一步改善全球供需結構，並推升平均售價的表現。
另一方面，旺宏則在高端應用市場展現強勁的競爭力，除穩固其在智慧型手機外掛NOR Flash的既有優勢外，旺宏更積極聚焦車用電子、工控自動化、5G基礎建設，以及AI／HPC資料中心等高利基領域。隨著其3D NOR Flash技術成熟，並陸續進入量產階段，突破傳統NOR產品在容量上的限制，特別是以高容量規格精準鎖定車用與智慧家庭等邊緣AI市場，不僅優化產品組合，也為整體營運注入長期的成長動能。
AI重塑記憶體版圖，產能布局成關鍵
綜觀全球記憶體產業的最新發展，AI浪潮與地緣政治正合力重塑市場的競爭格局，即隨著生成式AI應用從大型資料中心迅速向終端邊緣擴散，各大廠不僅在HBM與先進封裝領域展開激烈的技術競賽，更靈活調配傳統DRAM與NAND Flash的產能配置，以維持供需平衡。同時，在國際關稅壁壘與規格升級的雙重驅動下，台廠如華邦電與旺宏在NOR Flash市場成功迎來結構性轉機，憑藉高品質與高容量的差異化優勢搶占關鍵地位。展望未來，能否在AI高速運轉與利基型應用中，精準拿捏產能布局、深化高階技術整合，將是決定各大記憶體廠在全新賽局中，能否穩居領先地位的勝負關鍵。
本文章反映作者意見，不代表《遠見》立場
（作者為台經院產經資料庫總監、APIAA院士）
