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半導體、5G及生醫,下一波創新在哪?工研院「奧斯卡」揭線索

魏鑫陽
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魏鑫陽

2024-07-03

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「接軌國際之細胞治療產業核心技術」榮獲產業化貢獻金獎。工研院提供
「接軌國際之細胞治療產業核心技術」榮獲產業化貢獻金獎。工研院提供

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台積電之後,下一個護國神山在哪?台灣技術創新,或可從有「工研院奧斯卡獎」之稱的工研菁英獎看起。本週2日揭曉本屆得主,共有6大金牌技術亮相,涵蓋半導體、5G及再生醫學領域的突破性技術,不僅展現工研院在下世代技術部署上的硬實力,且已開始進行跨國合作、認證或是已經技轉,足見緊扣市場需求、呼應全球產業變化趨勢。

有「工研院奧斯卡獎」之稱的工研菁英獎2日揭曉,本屆共有六大金牌技術亮相,涵蓋半導體、5G及再生醫學領域的突破性技術,不僅展現工研院在下世代技術部署上的硬實力,並緊扣市場需求、呼應全球產業變化趨勢。

今年榮獲產業化貢獻金獎共有兩大技術,其一是「以軟帶硬跨國推動毫米波技術產業化」,以兩大策略協助產業國際化發展,首先是全球首個5G毫米波解決方案,先後打進歐洲與印度電信商進行應用概念性驗證出貨;其次則是攜手美國、日本通訊巨擘,強化與台灣產業鏈合作連結,開拓5G毫米波新市場。

半導體方面,「密度倍增複合材料探針卡」、「先進MRAM晶片技術與驗證平台」同獲得傑出研究獎金獎。

工研菁英獎2日揭曉本屆得主,共有6大金牌技術亮相。圖左至右為工研院材化所組長楊偉達、工研院電光所組長許世玄、工研院資通所組長許仁源、工研院院長劉文雄、工研院生醫所組長王羽淇、工研院機械所組長黃萌祺、工研院資通所副組長邱碧貞。工研院提供

工研菁英獎2日揭曉本屆得主,共有6大金牌技術亮相。圖左至右為工研院材化所組長楊偉達、工研院電光所組長許世玄、工研院資通所組長許仁源、工研院院長劉文雄、工研院生醫所組長王羽淇、工研院機械所組長黃萌祺、工研院資通所副組長邱碧貞。工研院提供

到底這些技術厲害在哪?以下是完整介紹。

再生醫學協助打造一條龍

另一則是再生醫學領域,以上中下游一條龍供應鏈打造「接軌國際之細胞治療產業核心技術」,從異體幹細胞源頭篩選、擴增培養到臨床應用,為國內細胞治療產業注入快速發展的新動力。目前已技轉博醫能生技等國內廠商。

5G領域上,工研院的核心材料、自主軟體和網管系統均榮獲金獎。其中,「銅箔基板暨載板材料與驗證技術」已成功協助國內業者導入先進材料,促進台灣銅箔基板產業與歐美日等原料大廠合作,獲得傑出研究獎金獎。又「5G O-RAN專網節能管理系統技術」協助業者快速布建專網,投入智慧工廠、智慧醫院、無人機、智慧倉儲等利基應用,亦獲得傑出研究獎金獎。

工研院院長劉文雄表示,面對全球產業快速轉變的關鍵時刻,工研院致力於創新,追求政府科研和企業合作並重取得平衡。今年「產業化貢獻獎」與「傑出研究獎」正是以政府科研計畫成果擴散與企業合作,帶動產業發展最好的見證。這6項金牌技術涵蓋半導體、5G及再生醫學領域,不僅標誌工研院在下世代技術部署的卓越成就,更呼應AI熱潮、半導體產業及細胞醫療市場持續成長等全球產業變化趨勢。

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工研院已擘劃2035技術策略與藍圖,將繼續秉持「產業升級、科技創新、服務社會」的精神,發展跨域整合的解決方案,與產業界攜手並進,共同提升競爭力和韌性,壯大臺灣科技邁向永續未來。

三大創新助晶圓測試突破瓶頸

密度倍增複合材料探針卡。工研院提供

密度倍增複合材料探針卡。工研院提供

晶圓製造完成後,需要利用探針卡進行功能測試以去除不良品;不過目前市面上探針卡針寬和間隙只能達到25/25微米,無法滿足10/10微米以下IC和Micro LED的測試需求。因此,工研院與國際材料大廠、國內探針卡廠聯手開發「密度倍增複合材料探針卡」,不僅可顯著提升晶圓測試的精度和效率,還更具成本效益。

工研院表示,「密度倍增複合材料探針卡」具備三大創新:超精細、超省成本、超快組裝。首先,其採用玻璃及金屬複合材料,突破傳統金屬探針的限制,實現針寬小於10微米,因此可滿足10/10微米以下IC與Micro LED測試需求,引領晶圓測試新時代。

其次是採用雷射圖案化的3D陶瓷電路取代多層陶瓷電路,成本低廉僅需傳統探針的1/10,且彈性高,線路寬度可由30微米降至10微米。第三則是微機電模組化接合可一次組裝超過100根探針,無需人工裝針,組裝速度超快,且為全球首例微機電探針搭載鏡頭應用於CIS晶圓測試。

MRAM記憶體已成新戰場,曾與台積電合作

先進MRAM晶片技術與驗證平台。工研院提供

先進MRAM晶片技術與驗證平台。工研院提供

隨著未來車用市場、AI、高效能運算晶片以及量子電腦領域應運而生,快速處理龐大資料導致高效能記憶體的需求暴增。工研院發展磁阻式隨機存取記憶體(Magneto-resistive Random Access Memory;MRAM)技術,具備低耗能、讀寫速度快、斷電不失憶等特點,並建立一站式完成晶圓設計、製造到測試的「先進MRAM晶片技術與驗證平台」,協助廠商實現新世代記憶體導入量產。

工研院指出,該平台已於2022年攜手半導體龍頭大廠台積電,完成世界最快0.4奈秒寫入、超高可靠度的SOT MRAM陣列晶片,並與加州大學洛杉磯分校(UCLA)合作開發超低功耗磁性記憶體晶片,成果獲得國際肯定。

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